Ученые объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств
Физики Санкт-Петербургского государственного университета с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индия-галлия нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи. Результаты исследования опубликованы в ACS … Подробнее